Materiales

 Los materiales más utilizados en la fabricación de microprocesadores son:

• Germanio
• Silicio 
• Arseniuro de galio

Silicio  Si

De acuerdo a las propiedades de los materiales. El silicio cristaliza en red cúbica centrada en las caras

lado del cubo: 5,43 Å = 543 pm

distancia entre átomos: 2,35 Å = 235 pm

(Pollan, 2007)

Estos materiales presentan propiedades tanto de conductor eléctrico como de aislante.

Mas específicamente se utiliza la tecnología CMOS (semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor).  Esta tecnología esta basada en la utilización de transistores tipo  pMOS y tipo nMOS.

Los procesos de utilización de estos materiales con tecnología CMOS se encuentran en productos comerciales y existen trabajos que documentan el proceso (López, 2011). 

Se presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. 

De acuerdo a lo mostrado en el siguiente link:

Materiales nuevos para transistores de última generación

Se da a entender que el proceso ha mejorado gracias a la utilización del sustrato el arseniuro de indio y galio (InGaAs).

REFERENCIAS

Pollán Santamaria T, Tecnología Electrónica, Universidad de Zaragoza, 2007. http://diec.unizar.es/~tpollan/libro/Apuntes/digT2.pdf

Estructura Cristalina del Silicio, http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/sili2.html, Recuperada febrero 28 de 2021.

López. F. (2011). Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), Información tecnológica.